Chamada de PCM, ela promete ser 100 vezes mais veloz que a flash. Empresa espera que novidade esteja em uso dentro de cinco anos.
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| Memória promete ser 100 vezes mais veloz que a flash (Foto: Divulgação) |
Cientistas da IBM afirmam ter desenvolvido um novo tipo de memória que
promete ser 100 vezes mais rápida que a flash, utilizada atualmente em
diversos aparelhos, de notebooks até celulares. Chamada de "phase-change
memory" (PCM), pode, também, armazenar múltiplos dados por célula por
um longo período sem risco de perder parte da informação. Além disso, a
descoberta permitirá inicializar computadores e servidores
instantaneamente.
De acordo com a companhia, o sistema permite o desenvolvimento de novas
aplicações que façam uso dessa memória, que traz um acesso mais rápido e
durável aos dados, além de apresentar um baixo custo. O sistema promete
resistir a 10 milhões de ciclos de uso, contra cerca de 3 mil da
memória flash voltada para consumidores, ou seja, ela pode durar mais
sem a perda de dados após um grande número de acessos ou tempo de
utilização.
A PCM é feita de uma liga especial de materiais que podem ser
transformados em diferentes estados físicos por meio de pequenas
descargas elétricas. A intenção é utilizar a novidade em celulares e em
servidores de armazenamento na nuvem. A IBM diz que a PCM pode ser um
novo avanço para as áreas de TI das empresas e para sistemas de
armazenamento nos próximos 5 anos.
"Com os consumidores e empresas utilizando cada vez mais modelos e
serviços baseados na nuvem, é preciso criar tecnologias de armazenamento
mais baratas e poderosas", disse Haris Pozidis, chefe da área de
pesquisa de tecnologias de memória da IBM. "Ao demonstrar a PCM, damos
um grande passo para criar dispositivos de armazenamento mais confiáveis
e com mais espaço".
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